2N5671和JAN2N5671

对比图

型号 2N5671 JAN2N5671 JANTXV2N5671

描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-204 TO-3

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-204 TO-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 90 V -

集电极最大允许电流 - 30A -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @15A, 2V -

额定功率(Max) - 6 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 6000 mW 6000 mW -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -