对比图
描述 N沟道 30V 23AN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 23.0 A 17.0 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 45 mΩ 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 30 W
阈值电压 1 V 1.5 V
输入电容 - 320 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 17.0 A
上升时间 140 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 30 W
下降时间 - 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 30W (Tc)
通道数 1 -
产品系列 IRLR2703 -
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99