MLD1N06CLT4和MLD1N06CLT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MLD1N06CLT4 MLD1N06CLT4G MLD1N06CL

描述 SMARTDISCRETES TM MOSFET 1安培, 62伏特,逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAKSMARTDISCRETES TM MOSFET 1安培, 62伏特,逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAKVOLTAGE CLAMPED CURRENT LIMITING MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

额定电压(DC) 62.0 V 62.0 V -

额定电流 1.00 A 1 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

漏源极电阻 750 mΩ 750 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 40 W 40 W -

漏源极电压(Vds) 62.0 V 59 V -

漏源击穿电压 62.0 V 62.0 V -

栅源击穿电压 ±10.0 V ±10.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.00 A -

上升时间 4 ns 4 ns -

下降时间 3 ns 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 40000 mW -

额定电压 - 65 V -

输出接口数 1 - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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