对比图
型号 AFT20P140-4WNR3 MRF7S19100NBR1 MRF8S19140HSR3
描述 RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1818MOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990MHz, 34W Avg., 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Flange Surface Mount
引脚数 5 5 3
封装 OM-780-4 TO-272 NI-780S
频率 1.88GHz ~ 1.91GHz 1.93GHz ~ 1.99GHz 1.96 GHz
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
输出功率 24 W 29 W 34 W
增益 17.8 dB 17.5 dB 19.1 dB
测试电流 500 mA 1 A 1.1 A
工作温度(Max) 125 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电流 10 µA 10 µA -
电源电压 28 V - -
额定电压(DC) - 28.0 V -
漏源极电压(Vds) - 65 V -
封装 OM-780-4 TO-272 NI-780S
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99