对比图
型号 IRFP32N50KPBF STW28NM50N STW20NM50FD
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STW28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 160 mΩ 0.135 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 460 W 150 W 214 W
阈值电压 5 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 21A 20.0 A
上升时间 120 ns 19 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 5280pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 460 W 150 W 214 W
下降时间 - 52 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 214W (Tc)
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 32.0 A - 20.0 A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 500 V - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
额定功率 460 W - -
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 - - NLR