对比图
型号 STD17NF25 STD60NF06T4 IRFR15N20DPBF
描述 STMICROELECTRONICS STD17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 200V 17A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 17.0 A
漏源极电阻 0.14 Ω 0.014 Ω 0.165 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 110 W 3 W
产品系列 - - IRFR15N20D
阈值电压 3 V 4 V 5.5 V
输入电容 - - 910pF @25V
漏源极电压(Vds) 250 V 60 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 8.50 A 60.0 A 17.0 A
上升时间 17.2 ns 108 ns 32.0 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 110 W 3 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 3 3 -
下降时间 8.8 ns 20 ns -
耗散功率(Max) 90W (Tc) 110W (Tc) -
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.26 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 6.2 mm 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -