BC369-16和BC369,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC369-16 BC369,112 BC369

描述 PNP中功率晶体管 PNP medium power transistorSPT PNP 20V 1ATrans GP BJT PNP 20V 1A 3Pin SPT Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 双极性晶体管二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 SPT TO-226-3 SPT

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 830 mW -

增益频宽积 - 140 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 85 @500mA, 1V -

额定功率(Max) - 830 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm -

封装 SPT TO-226-3 SPT

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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