对比图
描述 PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 8.00 A -8.00 A -8.00 A
输出电压 60 V - -
输出电流 8 A - -
针脚数 3 - -
极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel
耗散功率 75 W 80 W 2000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
热阻 57℃/W (RθJA) - -
集电极最大允许电流 8A 8A -
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @4A, 4V 1000 @3A, 4V 1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) 20000 - -
额定功率(Max) 75 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) 1000 1000 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 75 W 80 W 2000 mW
输入电压 2.8 V - -
额定功率 - 2 W -
长度 15.75 mm 10.67 mm -
宽度 4.83 mm 4.83 mm -
高度 4.82 mm 9.4 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/06/15 -
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99