TIP105TU

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TIP105TU概述

Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A Min.

• Collector-Emitter Sustaining Voltage

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• Industrial Use

• Complementary to TIP100/101/102


欧时:
### Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl


艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


富昌:
TIP系列 PNP 80 W 60 V 8 A 外延硅 达林顿晶体管 - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 2W; TO220AB


Verical:
Trans Darlington PNP 60V 8A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP105TU  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -60 V, 80 W, -8 A, 1000 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220


TIP105TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.00 A

额定功率 2 W

极性 PNP

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP105TU
型号: TIP105TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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