Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors
• High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A Min.
• Collector-Emitter Sustaining Voltage
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Industrial Use
• Complementary to TIP100/101/102
欧时:
### Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl
艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
安富利:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
富昌:
TIP系列 PNP 80 W 60 V 8 A 外延硅 达林顿晶体管 - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 2W; TO220AB
Verical:
Trans Darlington PNP 60V 8A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP105TU Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -60 V, 80 W, -8 A, 1000 hFE
Win Source:
TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -8.00 A
额定功率 2 W
极性 PNP
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
TIP105TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP105 飞兆/仙童 | 类似代替 | TIP105TU和TIP105的区别 |
2N6040G 安森美 | 功能相似 | TIP105TU和2N6040G的区别 |
TIP112 意法半导体 | 功能相似 | TIP105TU和TIP112的区别 |