2N7000BU和2N7000_D74Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7000BU 2N7000_D74Z 2N7000

描述 2N7000BU 系列 60 V 5 Ohms N 沟道 高级 小信号 Mosfet TO-92MOSFET N-CH 60V 200mA TO-92小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 5 Ω - 5 Ω

耗散功率 400 mW 0.4 W 350 mW

阈值电压 3.9 V - 2.1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 400 mW - 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400mW (Ta) 400 mW

上升时间 10 ns - -

下降时间 10 ns - -

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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