2SB1386T100R和PBSS5520X,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB1386T100R PBSS5520X,135 FJC1386RTF

描述 ROHM  2SB1386T100R  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFESOT-89 PNP 20V 5APNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -5.00 A - -5.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 500 mW 550 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 180 @500mA, 2V 250 @2A, 2V 180 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 390 - 390

额定功率(Max) 2 W 1.6 W 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 2 W - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 82 430 -

耗散功率(Max) 2000 mW 2500 mW -

频率 - 100 MHz -

长度 - - 4.7 mm

宽度 2.5 mm - 2.7 mm

高度 - - 1.7 mm

封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not For New Designs Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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