DTC115EET1G和DTC115EETL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC115EET1G DTC115EETL DTC115EET1

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN 100毫安50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 20.0 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 82 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.3 W 0.15 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

额定功率 - 0.15 W -

增益带宽 - 250 MHz -

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

长度 1.65 mm - -

宽度 0.9 mm - -

高度 0.8 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -

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