对比图
型号 HGT1S7N60C3D STGD3NB60HD
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AAN沟道6A - 600V - DPAK封装的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT
数据手册 --
制造商 Harris ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - -
引脚数 - -
封装 - TO-252
耗散功率 - -
工作温度(Max) - -
工作温度(Min) - -
耗散功率(Max) - -
高度 - -
封装 - TO-252
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
ECCN代码 - -