BCP 53-16 E6327和BCP5316E6433HTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP 53-16 E6327 BCP5316E6433HTMA1 BCP53-16

描述 Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RSOT-223 PNP 80V 1A低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 - - 4

额定电压(DC) -80.0 V - -

额定电流 -1.00 A - -

耗散功率 2000 mW - 1.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 2 W 2 W 1.6 W

耗散功率(Max) 2000 mW - 1600 mW

频率 - - 50 MHz

针脚数 - - 4

直流电流增益(hFE) - - 40

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 1A -

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台