IRF7815PBF和SI4488DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7815PBF SI4488DY-T1-E3 IRF7494TRPBF

描述 INFINEON  IRF7815PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  SI4488DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRF7494TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.034 Ω 0.041 Ω 44 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 3.1 W 3 W

阈值电压 4 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 - 150 V 150 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.1A 5.00 A 5.1A

上升时间 3.2 ns 7 ns -

下降时间 8.3 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 1560 mW 2.5W (Ta)

额定功率 2.5 W - -

输入电容(Ciss) 1647pF @75V(Vds) - 1783pF @25V(Vds)

通道数 - - 1

额定功率(Max) - - 2.5 W

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

高度 1.5 mm 1.55 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

宽度 4 mm - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Obsolete - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

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