VISHAY SI4488DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V
The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 N 沟道 150 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4488DY-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 7 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4488DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4488DY-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI4488DY-T1-E3和SI4488DY-T1-GE3的区别 |
IRF7815PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4488DY-T1-E3和IRF7815PBF的区别 |