对比图
型号 FDC6561AN SI3932DV-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6561AN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.082 Ω 0.047 Ω
耗散功率 960 mW 1.14 W
阈值电压 1.8 V 2.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 10.0 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) 235pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW 1.4 W
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.96 W 1140 mW
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 2.50 A -
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel
输入电容 220 pF -
栅电荷 2.30 nC -
漏源击穿电压 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 3.7A
长度 3 mm -
宽度 1.7 mm -
高度 1 mm -
封装 TSOT-23-6 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -