NTGS3136PT1G和RSQ030P03TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTGS3136PT1G RSQ030P03TR NTGS5120PT1G

描述 P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorP 通道 30 V 80 mΩ 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-23-6

通道数 1 - 1

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.025 Ω 0.1 Ω 0.072 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25W (Ta) 1.1 W

阈值电压 1 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A, -5.10 A 3.00 A 2.90 A, -2.50 A

上升时间 9 ns 13 ns 4.9 ns

输入电容(Ciss) 1901pF @10V(Vds) 440pF @10V(Vds) 942pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 1.25 W 600 mW

下降时间 48 ns 12 ns 12.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700mW (Ta) 1.25W (Ta) 600mW (Ta)

漏源击穿电压 - - 60 V

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -30.0 A -

长度 3.1 mm - 3.1 mm

宽度 1.7 mm - 1.5 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - - NLR

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