对比图
型号 FDN359BN FDN359BN_F095 SI2306BDS-T1-GE3
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN_F095 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 VN通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
漏源极电阻 0.046 Ω 0.026 Ω 65 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 500 mW 500 mW 1.25 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 2.70 mA - 3.16A
上升时间 5 ns 5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 650pF @15V(Vds) 650pF @15V(Vds) 305pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 460 mW 750 mW
下降时间 5 ns 2 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500 mW 1250 mW
针脚数 - 3 -
阈值电压 1.8 V 1.8 V -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 2.70 A - -
通道数 1 - -
输入电容 650 pF - -
栅电荷 7.00 nC - -
漏源击穿电压 30 V - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.92 mm 2.92 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 0.94 mm 0.94 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -