对比图
型号 PHB160NQ08T PHB160NQ08T,118
描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETD2PAK N-CH 75V 75A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-263-3
极性 - N-CH
耗散功率 - 300 W
漏源极电压(Vds) - 75 V
连续漏极电流(Ids) - 75A
上升时间 - 56 ns
输入电容(Ciss) - 5585pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 48 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc)
封装 - TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free