对比图
型号 BLF3G21-6 BLF3G21-6,112
描述 UHF功率LDMOS晶体管 UHF power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 2.3A 3Pin CDIP SMD Bulk
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount -
封装 CDIP SOT-538
额定电压(DC) 26.0 V -
额定电流 650 mA 2.3 A
漏源极电阻 2.07 Ω -
漏源极电压(Vds) 65 V 65 V
漏源击穿电压 65 V -
增益 16.0 dB 15.5 dB
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) 65 ℃ -
频率 - 2 GHz
输出功率 - 6 W
测试电流 - 90 mA
长度 5.66 mm -
宽度 4.14 mm -
高度 2.95 mm -
封装 CDIP SOT-538
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free