对比图
型号 FDA16N50 STW20NK50Z STD6N95K5
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 380 mΩ 0.23 Ω 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 205W (Tc) 190 W 90 W
阈值电压 - 3.75 V 4 V
输入电容 1.94 nF 2600 pF 450 pF
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 16.5 A 17.0 A 9A
上升时间 150 ns 20 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1945pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 205 W 190 W 90 W
下降时间 - 15 ns 21 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 205W (Tc) 190W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 16.5 A 17.0 A -
栅电荷 45.0 nC - -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
额定功率 - 190 W -
通道数 - 1 -
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99