对比图
型号 FDB44N25TM STB50N25M5 IRF540NSPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB44N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 250 V, 0.058 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 250 V - 100 V
额定电流 44.0 A - 33.0 A
针脚数 2 - 3
漏源极电阻 0.058 Ω 0.055 Ω 0.044 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 307 W 110 W 130 W
产品系列 - - IRF540NS
阈值电压 5 V 4 V 4 V
输入电容 2.87 nF - 1960pF @25V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 14.0 A 33.0 A
上升时间 400 ns 44 ns 35.0 ns
输入电容(Ciss) 2870pF @25V(Vds) 1700pF @50V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 307 W 110 W 130 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
下降时间 115 ns 20 ns -
耗散功率(Max) 307 W 110W (Tc) -
额定功率 307 W - -
栅电荷 61.0 nC - -
栅源击穿电压 250 V - -
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.67 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 11.33 mm 10.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99