LM5104SD/NOPB和LM5104SDX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5104SD/NOPB LM5104SDX/NOPB LM5104SD

描述 MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments门驱动器 High Voltage Half-Bridge Gate Driver with Adaptive Delay 10-WSON -40 to 125Driver 1.8A 2Out Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv 10Pin WSON EP T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10 10

封装 WDFN-10 WSON-10 WDFN-10

电源电压(DC) 9.00V (min) - 14.0V (max)

上升/下降时间 600 ns 600 ns 600 ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 350 mV - -

输出电流 1.80 A 1.8 A -

静态电流 400 µA 400 µA 400 µA

上升时间 600 ns 600 ns -

下降时间 600 ns 600 ns -

下降时间(Max) 600 ns 600 ns 600 ns

上升时间(Max) 600 ns 600 ns 600 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V - -

电源电压(Min) 9 V - -

长度 4 mm 4 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 0.8 mm 0.8 mm -

封装 WDFN-10 WSON-10 WDFN-10

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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