AO3409和NTR1P02T1G

对比图

型号 AO3409 NTR1P02T1G FDN352AP

描述 -30V,-2.6A,P沟道MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTR1P02T1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN352AP  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 1 W - -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.4 W 400 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.6A 1.00 A, 1.00 mA -1.30 A

输入电容(Ciss) 370pF @15V(Vds) 165pF @5V(Vds) 150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 400 mW 460 mW

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 400 mW 500mW (Ta)

额定电压(DC) - -20.0 V -30.0 V

额定电流 - -1.00 A -1.30 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.148 Ω 180 mΩ

阈值电压 - 1.9 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±25.0 V

上升时间 - 9 ns 15 ns

下降时间 - 3 ns 1 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

通道数 - - 1

输入电容 - - 150 pF

栅电荷 - - 1.40 nC

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm 2.92 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99