FQU3N40和FQU3N40TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU3N40 FQU3N40TU IRFU310BTU

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道 400V 2AN沟道 400V 1.7A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-251 TO-251-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 2.00 A -

漏源极电阻 - 3.40 Ω 2.70 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) - 400 V 400 V

漏源击穿电压 - 400 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 2.00 A 1.70 A

输入电容(Ciss) - 230pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -

上升时间 - - 25 ns

下降时间 - - 25 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-251 TO-251-3 TO-220-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 16.3 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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