MMBF2202PT1和NTS4101PT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF2202PT1 NTS4101PT1G MMBF2202PT1G

描述 功率MOSFET 300毫安, 20伏P沟道SC- 70 / SOT- 323 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P−Channel SC−70/SOT−323P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor-0.3A,-20V,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -20.0 V

额定电流 -300 mA -1.37 A -300 mA

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 2.20 Ω 0.12 Ω 2.2 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 150mW (Ta) 329 mW 150 mW

阈值电压 - 640 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±8.00 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 1.37 A 300 mA

上升时间 1.00 ns 14.9 ns 1 ns

输入电容(Ciss) 50pF @5V(Vds) 840pF @20V(Vds) 50pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 150 mW 329 mW 150 mW

下降时间 - 18 ns 1 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150mW (Ta) 329 mW 150mW (Ta)

通道数 - - 1

输入电容 - - 50.0 pF

漏源击穿电压 20.0 V - 20 V

长度 - 2.2 mm 2.1 mm

宽度 - 1.35 mm 1.24 mm

高度 - 0.9 mm 0.85 mm

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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