对比图
型号 BC856BLT1G BC856BLT3G BC856B-7-F
描述 ON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管BC856B 系列 65 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 200 MHz
额定功率 - 225 mW 0.31 W
针脚数 - 3 3
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 300 mW 225 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) -65.0 V 65 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 225 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 220 330
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 350 mW
额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -
额定电流 -100 mA -100 mA -
长度 - 2.9 mm 3.05 mm
宽度 - 1.3 mm 1.4 mm
高度 - 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 - - Yes
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99