IRL1404SPBF和STB120N4LF6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL1404SPBF STB120N4LF6 STB120N4F6

描述 N沟道 40V 160ASTMICROELECTRONICS  STB120N4LF6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 160 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.8 W 110 W 110 W

产品系列 IRL1404S - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V - 40 V

连续漏极电流(Ids) 160 A 80A 80A

上升时间 270 ns 95 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 110 W 110 W

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 0.0031 Ω 4 mΩ

阈值电压 - 1 V 4 V

下降时间 - 45 ns 20 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110 W

针脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - - EAR99

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