BSC200P03LSG和BSZ120P03NS3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC200P03LSG BSZ120P03NS3G IRFHM9391TRPBF

描述 的OptiMOS ™ -P功率三极管 OptiMOS™-P Power-Transistor30V,-40A,P沟道功率MOSFETINFINEON  IRFHM9391TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TDSON-8 TSDSON EP Power-33

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 TDSON-8 TSDSON EP Power-33

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.01 Ω

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 33 W

阈值电压 - - 1.8 V

输入电容 - - 1543 pF

连续漏极电流(Ids) - - 11A

上升时间 - - 27 ns

输入电容(Ciss) - - 1543pF @25V(Vds)

下降时间 - - 60 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.6W (Ta)

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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