对比图
型号 BSB028N06NN3G BSC028N06NSATMA1 BSB028N06NN3GXUMA1
描述 60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFETINFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON BSB028N06NN3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 8 7
封装 MG-WDSON-2 PG-TDSON-8 WDSON-2-3
额定功率 - 83 W 78 W
针脚数 - 8 3
漏源极电阻 - 0.0025 Ω 0.0022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 - 83 W 78 W
阈值电压 - 2.8 V 3 V
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 100A 22A
上升时间 9 ns 38 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 8800pF @30V(Vds) 2700pF @30V(Vds) 8800pF @30V(Vds)
下降时间 6 ns 8 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 78 W 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2200 mW
通道数 - 1 -
长度 6.35 mm 6.1 mm 6.35 mm
宽度 5.05 mm 5.15 mm 5.05 mm
高度 0.53 mm 1.1 mm 0.53 mm
封装 MG-WDSON-2 PG-TDSON-8 WDSON-2-3
材质 - - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -