对比图
型号 FQI2N90TU IRFBF20L IRFBF20LPBF
描述 N沟道 900V 2.2AMOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) TO-262
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) 900 V 900 V -
额定电流 2.20 A 1.70 A -
耗散功率 3.13 W 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 2.20 A 1.70 A -
上升时间 35 ns 21.0 ns -
输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
额定功率(Max) 3.13 W - 3.1 W
通道数 1 - -
漏源极电阻 7.2 Ω - -
极性 N-Channel - -
漏源击穿电压 900 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
下降时间 30 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) 55 ℃ - -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
长度 10.29 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 7.88 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free