对比图
型号 KSH44H11ITU MJD44H11-001 MJD44H11-1G
描述 NPN 1.75 W 80 V 8 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
耗散功率 1750 mW - 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 60
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 1750 mW - 1750 mW
频率 - - 85 MHz
额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V
额定电流 - 8.00 A 8.00 A
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
极性 - NPN NPN
增益频宽积 - - 85 MHz
集电极最大允许电流 - 8A 8A
直流电流增益(hFE) - - 60
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 2.38 mm
高度 - - 6.35 mm
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99