BCW61D和BCW61DE6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61D BCW61DE6327 BCW61DMTF

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorSOT-23 PNP 32V 0.1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 PNP GP AMP

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23-3-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - - -32.0 V

额定电流 - - -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 330 mW 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 380 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 630

额定功率(Max) - - 350 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 350 mW

频率 - 250 MHz -

长度 - - 2.92 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.93 mm

封装 SOT-23-3-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life End of Life Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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