对比图
型号 BDX33CG JAN2N5666S NTE263
描述 ON SEMICONDUCTOR BDX33CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFENPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORTO-220 NPN 100V 10A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-39 TO-220
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 10.0 A - -
针脚数 3 - -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 70 W 1.2 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 200 V 100 V
集电极最大允许电流 10A 5A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 40 @1A, 5V -
额定功率(Max) 70 W 1.2 W -
直流电流增益(hFE) 750 - 20000
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 70000 mW 1200 mW 2000 mW
长度 10.28 mm - -
宽度 4.82 mm - -
高度 9.28 mm - -
封装 TO-220-3 TO-39 TO-220
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Bag -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2016/06/20 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
HTS代码 - - 85412900951