对比图
型号 SPA11N60C3 SPP11N65C3 SIHA12N60E-E3
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能VISHAY SIHA12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 650 V 650 V -
额定电流 11.0 A 11.0 A -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.34 Ω - 0.32 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 33 W - 33 W
阈值电压 3 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -
上升时间 5 ns 5 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 937pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 33 W 125 W -
下降时间 5 ns 5 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33 W 125 W 33000 mW
输入电容 - 1.20 nF -
栅电荷 - 60.0 nC -
长度 10.65 mm 10.36 mm -
宽度 4.85 mm 4.57 mm -
高度 9.83 mm 15.95 mm 15.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -