2SA1162和KSA812

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1162 KSA812 BCW69

描述 Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications低频放大器 Low Frequency AmplifierTransistor

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) Motorola (摩托罗拉)

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23 -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

封装 SOT-23 SOT-23 -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

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