LF353MX/NOPB和LF353M/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LF353MX/NOPB LF353M/NOPB LF353DT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LF353MX/NOPB  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, 10V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LF353M/NOPB.  四路运算放大器LF347、LF351、LF353、JFET 输入、低输入偏置和偏置电流运算放大器LF347、LF351 和 LF353 是高速 JFET 输入运算放大器,包含匹配的、高电压 JFET 和双极晶体管。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 20.0 mA 20.0 mA 60 mA

供电电流 3.6 mA 3.6 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K -

带宽 4 MHz 4 MHz 4 MHz

转换速率 13.0 V/μs 13.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 4 MHz 4 MHz

输入补偿电压 5 mV 5 mV 3 mV

输入偏置电流 50 pA 50 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 4 MHz 4 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 10V ~ 36V 10V ~ 36V 6V ~ 36V

耗散功率 - - 680 mW

输入电压(Max) - - 36 V

输入电压(Min) - - 6 V

耗散功率(Max) - - 680 mW

输入电压 - - 6V ~ 36V

电源电压(Max) - 36 V -

电源电压(Min) - 10 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.45 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司