对比图
型号 CSD25481F4 CSD25485F5 CSD25483F4
描述 P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4CSD25485F5 20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25483F4
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 0.5 W 1.4 W 0.5 W
阈值电压 950 mV - 950 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 2.5A 5.3A 1.6A
上升时间 3.6 ns 6 ns 3.7 ns
输入电容(Ciss) 189pF @10V(Vds) 410pF @10V(Vds) 198pF @10V(Vds)
下降时间 6.7 ns 14 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 1400 mW 500mW (Ta)
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
长度 1 mm - -
宽度 0.6 mm - -
高度 0.35 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -