IRF7380QPBF和STS4DNF60L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7380QPBF STS4DNF60L FDS3812_NL

描述 Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 VSOIC N-CH 80V 3.4A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 4.00 A -

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

极性 - N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2.5 W -

阈值电压 - 1.7 V -

漏源极电压(Vds) - 60 V 80 V

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.00 A 3.4A

上升时间 - 28 ns -

输入电容(Ciss) - 1030pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

额定功率 2 W - -

产品系列 IRF7380Q - -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台