对比图
描述 N沟道,200V,56A,40mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V
额定电流 56.0 A 40.0 A
漏源极电阻 0.04 Ω 0.038 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 380 W 160 W
产品系列 IRFB260N -
输入电容 4220pF @25V 2.50 nF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 25.0 A, 40.0 A
上升时间 64.0 ns 44 ns
热阻 0.4℃/W (RθJC) -
输入电容(Ciss) 4220pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 380 W 160 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 3 V
栅电荷 - 75.0 nC
下降时间 - 22 ns
耗散功率(Max) - 160W (Tc)
额定功率 - -
长度 10.54 mm 10.4 mm
高度 15.24 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99