FQPF3N90和FQPF4N90C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF3N90 FQPF4N90C

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 900 V 900 V

额定电流 2.10 A 4.00 A

漏源极电阻 4.25 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 43 W 47 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.10 A 4.00 A

上升时间 45 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 910pF @25V(Vds) 960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W 47 W

下降时间 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 43W (Tc) 47W (Tc)

针脚数 - 3

阈值电压 - 5 V

输入电容 - -

长度 10.67 mm 10.16 mm

宽度 4.7 mm 4.7 mm

高度 16.3 mm 9.19 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99

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