BC857BDW1T1G和BC857BS,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BDW1T1G BC857BS,115 BCM857BS.115

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC857BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363NXP  BC857BS,115  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363NXP  BCM857BS.115  双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 300 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 TSSOP-6 SOT-363

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 6 6

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 380mW 200 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) -45.0 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

直流电流增益(hFE) - 200 200

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

额定电压(DC) -45.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-363 TSSOP-6 SOT-363

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 NLR NLR -

ECCN代码 EAR99 - -

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