BC558B和BC558BRLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558B BC558BRLG

描述 放大器晶体管( PNP硅) Amplifier Transistors(PNP Silicon)放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 TO-92 TO-226-3

安装方式 - Through Hole

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW

频率 - 360 MHz

额定功率 - -

耗散功率 - 0.625 W

增益频宽积 - -

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -100 mA

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 180 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 625 mW

封装 TO-92 TO-226-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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