MMUN2212LT1G和PDTC124TT,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2212LT1G PDTC124TT,215 PDTC124ET,215

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2212LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23NXP  PDTC124TT,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 100 hFENXP  PDTC124ET,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.4 W 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 100 @1mA, 5V 60 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 60 - -

额定功率(Max) 246 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 250 mW -

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 100 60

长度 2.9 mm - 3 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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