BCR189和PDTB114ET

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR189 PDTB114ET BCR583

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorPNP电阻配备晶体管 PNP resistor-equipped transistorPNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 TO-236 SOT-23

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 500mA 500mA

封装 SOT-23 TO-236 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Unknown End of Life

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

含铅标准 - - Lead Free

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