NGTB40N60IHLWG和STGW30NC60VD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NGTB40N60IHLWG STGW30NC60VD STGW40NC60WD

描述 ON SEMICONDUCTOR  NGTB40N60IHLWG  单晶体管, IGBT, 80 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚N沟道40A - 600V - TO- 247的快速切换的PowerMESH TM IGBT N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBTSTMICROELECTRONICS  STGW40NC60WD  单晶体管, IGBT, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - 3

耗散功率 250 W 250000 mW 250 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 400 ns 44 ns 45 ns

额定功率(Max) 250 W 250 W 250 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 W 250000 mW 250000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 40.0 A

极性 - N-Channel N-Channel

输入电容 - - 2.90 nF

栅电荷 - - 126 nC

漏源极电压(Vds) - - 650 V

连续漏极电流(Ids) - - 40.0 A

上升时间 - 11.0 ns 12.0 ns

长度 16.26 mm - 15.75 mm

宽度 5.3 mm 5.16 mm 5.15 mm

高度 21.08 mm - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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