SUD50P06-15-GE3和SUD50P06-15L-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15L-E3 NVD5117PLT4G

描述 P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 VON SEMICONDUCTOR  NVD5117PLT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 0.016Ω, -61A, TO-252-3

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.012 Ω 0.012 Ω 0.016 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 3 W 118 W

阈值电压 3 V 3 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) -50.0 A -50.0 A 11A

上升时间 70 ns 70 ns 195 ns

输入电容(Ciss) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 113 W 3 W 4.1 W

下降时间 175 ns 175 ns 132 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 3000 mW 4.1W (Ta), 118W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2000 2000 -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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