FCPF380N60和SPA11N60C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF380N60 SPA11N60C3XKSA1 IPA60R380P6XKSA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF380N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 VPG-TO220-3-31 整包INFINEON  IPA60R380P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3-31 TO-220-3

额定功率 - - 31 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.33 Ω 0.34 Ω 0.342 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 31 W 33 W 31 W

阈值电压 2.5 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 10.2A 11A 10.6A

上升时间 - 5 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 1665pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 877pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 31 W 33 W 31 W

下降时间 - 5 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 31 W 33W (Tc) 31W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 650 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3-31 TO-220-3

长度 10.36 mm 10.65 mm -

宽度 4.9 mm 4.85 mm -

高度 9.19 mm 9.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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