IPB90R340C3ATMA1和IPB90R340C3ATMA2

对比图

型号 IPB90R340C3ATMA1 IPB90R340C3ATMA2

描述 Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 TO-263-3 TO-263

额定功率 208 W -

通道数 1 -

针脚数 3 3

漏源极电阻 280 mΩ 0.28 Ω

极性 N-CH -

耗散功率 208 W 208 W

阈值电压 2.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V -

连续漏极电流(Ids) 15A -

上升时间 20 ns -

输入电容(Ciss) 2400pF @100V(Vds) -

下降时间 25 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 208W (Tc) -

长度 10 mm -

宽度 9.25 mm -

高度 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -